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IMW65R039M1HXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IMW65R039M1HXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO247-3-41

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Menge:

Auf Lager : 42 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$15.9125

$15.9125
10

$14.01915

$140.1915
100

$12.12485

$1212.485
500

$10.98815

$5494.075

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolSiC™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -2V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 7.5mA
Base Product Number	IMW65R
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max)	176W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO247-3-41
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1393 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	46A (Tc)

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