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IMBG65R260M1HXTMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IMBG65R260M1HXTMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-7-12

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Menge:

Auf Lager : 235 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.9185

$5.9185
10

$4.97135

$49.7135
100

$4.02154

$402.154
500

$3.57471

$1787.355

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolSIC™ M1
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+23V, -5V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 1.1mA
Base Product Number	IMBG65R
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max)	65W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-7-12
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	201 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)

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