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IMBG120R350M1HXTMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IMBG120R350M1HXTMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-7-12

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Menge:

Auf Lager : 717 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$8.1035

$8.1035
10

$6.94355

$69.4355
100

$5.78616

$578.616
500

$5.10545

$2552.725

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolSiC™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+18V, -15V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	Standard
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 1mA
Base Product Number	IMBG120
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max)	65W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-7-12
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.9 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	196 pF @ 800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.7A (Tc)

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