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IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-HSOG-8-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8

Menge:

Auf Lager : 612 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.408

$4.408
10

$3.7031

$37.031
100

$2.99563

$299.563
500

$2.66281

$1331.405

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerSMD, Gull Wing
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 130µA
Base Product Number	IAUS200
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Supplier Device Package	PG-HSOG-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7670 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200A (Tc)

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