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GT40WR21,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

GT40WR21,Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-3P(N)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

Menge:

Auf Lager : 100 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$10.2695

$10.2695
10

$8.79795

$87.9795
25

$8.1947

$204.8675
100

$7.332

$733.2
300

$6.90073

$2070.219
500

$6.46942

$3234.71
1000

$5.82248

$5822.48

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tray
IGBT Type	-
Input Type	Standard
Power - Max	375 W
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Product Status	Active
Test Condition	-
Switching Energy	-
Td (on/off) @ 25°C	-
Operating Temperature	175°C (TJ)
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	5.9V @ 15V, 40A
Current - Collector (Ic) (Max)	40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1350 V

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