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GT30J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

GT30J121(Q)

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-3P(N)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

IGBT 600V 30A 170W TO3PN

Menge:

Auf Lager : 89 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.1065

$3.1065
10

$2.78635

$27.8635
25

$2.63378

$65.8445
100

$2.28266

$228.266
300

$2.16559

$649.677
500

$1.94318

$971.59
1000

$1.63882

$1638.82
2400

$1.55688

$3736.512
4900

$1.49835

$7341.915

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tube
IGBT Type	-
Input Type	Standard
Power - Max	170 W
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Product Status	Active
Test Condition	300V, 30A, 24Ohm, 15V
Switching Energy	1mJ (on), 800µJ (off)
Base Product Number	GT30J121
Td (on/off) @ 25°C	90ns/300ns
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 30A
Current - Collector (Ic) (Max)	30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V

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