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GT30J65MRB,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

GT30J65MRB,S1E

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-3P(N)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-

Menge:

Auf Lager : 61 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.4035

$2.4035
10

$1.99785

$19.9785
100

$1.59039

$159.039
500

$1.34569

$672.845
1000

$1.1418

$1141.8
2000

$1.08472

$2169.44
5000

$1.04393

$5219.65

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tube
IGBT Type	-
Input Type	Standard
Gate Charge	70 nC
Power - Max	200 W
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Product Status	Active
Test Condition	400V, 15A, 56Ohm, 15V
Switching Energy	1.4mJ (on), 220µJ (off)
Base Product Number	GT30J65
Td (on/off) @ 25°C	75ns/400ns
Operating Temperature	175°C (TJ)
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.8V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr)	200 ns
Current - Collector (Ic) (Max)	60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V

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