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GT30N135SRA,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

GT30N135SRA,S1E

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-247

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

Menge:

Auf Lager : 16 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.5055

$3.5055
10

$3.15115

$31.5115
25

$2.9792

$74.48
100

$2.582

$258.2
250

$2.44959

$612.3975
500

$2.19801

$1099.005
1000

$1.85375

$1853.75
2500

$1.76106

$4402.65
5000

$1.69485

$8474.25

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tube
IGBT Type	-
Input Type	Standard
Gate Charge	270 nC
Power - Max	348 W
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Product Status	Active
Test Condition	300V, 60A, 39Ohm, 15V
Switching Energy	-, 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C	-
Operating Temperature	175°C (TJ)
Supplier Device Package	TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 60A
Current - Collector (Ic) (Max)	60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1350 V

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