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BUZ30AH3045AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BUZ30AH3045AATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK

Menge:

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	SIPMOS®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Base Product Number	BUZ30
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)

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