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BSZ16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSZ16DN25NS3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TSDSON-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON

Menge:

Auf Lager : 4990 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.0235

$2.0235
10

$1.6815

$16.815
100

$1.33855

$133.855
500

$1.1326

$566.3
1000

$0.961

$961
2000

$0.91295

$1825.9

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 32µA
Base Product Number	BSZ16DN25
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	62.5W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.9A (Tc)

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