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BSS119N H7796

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSS119N H7796

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-SOT23-3-5

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Menge:

Auf Lager : 10000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

6918

$0.038

$262.884

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 13µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)
Supplier Device Package	PG-SOT23-3-5
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	20.9 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	190mA (Ta)

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