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BSC900N20NS3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC900N20NS3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-5

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8

Menge:

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 30µA
Base Product Number	BSC900
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max)	62.5W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-5
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15.2A (Tc)

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