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BSC160N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC160N10NS3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON

Menge:

Auf Lager : 196 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.311

$1.311
10

$1.06875

$10.6875
100

$0.83134

$83.134
500

$0.70469

$352.345
1000

$0.57403

$574.03
2000

$0.54038

$1080.76

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA
Base Product Number	BSC160
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.8A (Ta), 42A (Tc)

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