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BSC159N10LSFGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC159N10LSFGATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON

Menge:

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 72µA
Base Product Number	BSC159
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	114W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2500 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.4A (Ta), 63A (Tc)

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