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BSC12DN20NS3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC12DN20NS3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-5

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Menge:

Auf Lager : 3835 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.425

$1.425
10

$1.1666

$11.666
100

$0.90753

$90.753
500

$0.76923

$384.615
1000

$0.62663

$626.63
2000

$0.5899

$1179.8

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 25µA
Base Product Number	BSC12DN20
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-5
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	680 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.3A (Tc)

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