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BSC123N10LSGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC123N10LSGATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON

Menge:

Auf Lager : 27858 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.843

$1.843
10

$1.65965

$16.5965
100

$1.33399

$133.399
500

$1.09595

$547.975
1000

$0.90808

$908.08
2000

$0.84546

$1690.92

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 72µA
Base Product Number	BSC123
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	114W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4900 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.6A (Ta), 71A (Tc)

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