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BSC110N06NS3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC110N06NS3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-5

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

Menge:

Auf Lager : 1460 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.9595

$0.9595
10

$0.85975

$8.5975
100

$0.67003

$67.003
500

$0.55347

$276.735
1000

$0.43695

$436.95
2000

$0.40782

$815.64

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 23µA
Base Product Number	BSC110
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-5
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)

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