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BSC100N10NSFGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC100N10NSFGATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON

Menge:

Auf Lager : 13055 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.185

$2.185
10

$1.9627

$19.627
100

$1.57776

$157.776
500

$1.29629

$648.145
1000

$1.07406

$1074.06
2000

$0.99998

$1999.96

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 110µA
Base Product Number	BSC100
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2900 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.4A (Ta), 90A (Tc)

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