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BSC082N10LSGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC082N10LSGATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON

Menge:

Auf Lager : 10000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.6315

$2.6315
10

$2.3674

$23.674
100

$1.9399

$193.99
500

$1.65138

$825.69
1000

$1.39273

$1392.73
2000

$1.3231

$2646.2

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 110µA
Base Product Number	BSC082
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7400 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.8A (Ta), 100A (Tc)

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