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BSC079N10NSGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC079N10NSGATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON

Menge:

Auf Lager : 4990 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.7265

$2.7265
10

$2.28665

$22.8665
100

$1.85003

$185.003
500

$1.6445

$822.25
1000

$1.4081

$1408.1
2000

$1.32588

$2651.76

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 110µA
Base Product Number	BSC079
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5900 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.4A (Ta), 100A (Tc)

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