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BSC0501NSIATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC0501NSIATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-6

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON

Menge:

Auf Lager : 23534 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.425

$1.425
10

$1.2768

$12.768
100

$1.026

$102.6
500

$0.84291

$421.455
1000

$0.69842

$698.42
2000

$0.65025

$1300.5

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Schottky Diode (Body)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Base Product Number	BSC0501
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	29A (Ta), 100A (Tc)

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