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AIMW120R045M1XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

AIMW120R045M1XKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO247-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3

Menge:

Auf Lager : 242 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$23.484

$23.484
10

$20.87245

$208.7245
100

$18.25548

$1825.548
500

$15.57798

$7788.99

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -7V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 10mA
Base Product Number	AIMW120
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max)	228W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2130 pF @ 800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	52A (Tc)

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