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1IRF3710PBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

1IRF3710PBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

IRF3710 - 100V HEXFET N-CHANNEL

Menge:

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Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3130 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	57A (Tc)

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