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XPW4R10ANB,L1XHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

XPW4R10ANB,L1XHQ

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

8-DSOP Advance

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101

Menge:

Auf Lager : 16494 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.1185

$2.1185
10

$1.75845

$17.5845
100

$1.39954

$139.954
500

$1.18421

$592.105
1000

$1.00478

$1004.78
2000

$0.95455

$1909.1

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	Automotive, AEC-Q101
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Standard
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max)	170W (Tc)
Supplier Device Package	8-DSOP Advance
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4970 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	70A

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