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XPN3R804NC,L1XHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

XPN3R804NC,L1XHQ

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON

Menge:

Auf Lager : 2930 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.349

$1.349
10

$1.10105

$11.0105
100

$0.85633

$85.633
500

$0.72585

$362.925
1000

$0.59129

$591.29
2000

$0.55663

$1113.26

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSVIII
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Base Product Number	XPN3R804
Operating Temperature	175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	840mW (Ta), 100W (Tc)
Supplier Device Package	8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2230 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Ta)

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