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WNSC2D06650TJ

WeEn Semiconductors

Hersteller Teil #:

WNSC2D06650TJ

Hersteller:

WeEn Semiconductors

Paket:

5-DFN (8x8)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN

Menge:

Auf Lager : 1984 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.843

$1.843
10

$1.5276

$15.276
100

$1.21619

$121.619
500

$1.02905

$514.525
1000

$0.87314

$873.14

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Datencode

Mfr	WeEn Semiconductors
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	4-VSFN Exposed Pad
Product Status	Active
Base Product Number	WNSC2
Capacitance @ Vr, F	198pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	5-DFN (8x8)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	30 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	6A
Operating Temperature - Junction	175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 6 A

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