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VS-GT80DA120U

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Teil #:

VS-GT80DA120U

Hersteller:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Paket:

SOT-227

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227

Menge:

Auf Lager : 160 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$35.2925

$35.2925
10

$31.36425

$313.6425
100

$27.4321

$2743.21

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Datencode

Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Input	Standard
Series	HEXFRED®
Package	Bulk
IGBT Type	Trench
Power - Max	658 W
Configuration	Single
Mounting Type	Chassis Mount
NTC Thermistor	No
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Product Status	Active
Base Product Number	GT80
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package	SOT-227
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.55V @ 15V, 80A
Current - Collector (Ic) (Max)	139 A
Input Capacitance (Cies) @ Vce	4.4 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max)	100 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V

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