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VS-3C12ET07T-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Teil #:

VS-3C12ET07T-M3

Hersteller:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Paket:

TO-220AC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Menge:

Auf Lager : 3050 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.377

$5.377
10

$4.5106

$45.106
100

$3.64933

$364.933
500

$3.24387

$1621.935
1000

$2.77757

$2777.57
2000

$2.61537

$5230.74

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Datencode

Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Base Product Number	VS-3C12
Capacitance @ Vr, F	535pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-220AC
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	65 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	12A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 12 A

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