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VS-3C08ET07T-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Teil #:

VS-3C08ET07T-M3

Hersteller:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Paket:

TO-220AC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Menge:

Auf Lager : 1948 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.515

$3.515
10

$2.9507

$29.507
100

$2.38687

$238.687
500

$2.12165

$1060.825
1000

$1.81665

$1816.65
2000

$1.71058

$3421.16
5000

$1.64112

$8205.6

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Datencode

Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Capacitance @ Vr, F	340pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-220AC
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	45 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	8A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 8 A

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