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VS-3C06ET07T-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Teil #:

VS-3C06ET07T-M3

Hersteller:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Paket:

TO-220AC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Menge:

Auf Lager : 3390 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.6885

$2.6885
10

$2.25435

$22.5435
100

$1.82381

$182.381
500

$1.62117

$810.585
1000

$1.38813

$1388.13
2000

$1.30706

$2614.12
5000

$1.254

$6270

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Datencode

Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Capacitance @ Vr, F	255pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-220AC
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	35 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	6A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 6 A

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