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VS-3C06ET07S2L-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Teil #:

VS-3C06ET07S2L-M3

Hersteller:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Paket:

TO-263AB (D²PAK)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Menge:

Auf Lager : 1588 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.9545

$2.9545
10

$2.47855

$24.7855
100

$2.00516

$200.516

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Datencode

Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Capacitance @ Vr, F	255pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-263AB (D²PAK)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	35 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	6A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 6 A

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