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VS-3C04ET07T-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Teil #:

VS-3C04ET07T-M3

Hersteller:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Paket:

TO-220AC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Menge:

Auf Lager : 1983 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.223

$2.223
10

$1.84775

$18.4775
100

$1.4706

$147.06
500

$1.24436

$622.18
1000

$1.05583

$1055.83
2000

$1.00304

$2006.08
5000

$0.96533

$4826.65
10000

$0.93337

$9333.7

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Datencode

Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Capacitance @ Vr, F	175pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-220AC
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	25 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	4A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 4 A

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