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TW027N65C,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TW027N65C,S1F

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-247

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH

Menge:

Auf Lager : 12 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$20.7385

$20.7385
10

$18.43

$184.3
100

$16.1196

$1611.96
500

$13.75539

$6877.695

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+25V, -10V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 3mA
Operating Temperature	175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Supplier Device Package	TO-247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2288 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	58A (Tc)

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