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TSM110NB04LDCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Teil #:

TSM110NB04LDCR RLG

Hersteller:

Taiwan Semiconductor Corporation

Paket:

8-PDFN (5x6)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,

Menge:

Auf Lager : 5000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.375

$2.375
10

$1.97315

$19.7315
100

$1.57016

$157.016
500

$1.32859

$664.295
1000

$1.12729

$1127.29

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Datencode

Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Power - Max	2W (Ta), 48W (Tc)
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	TSM110
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	8-PDFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1269pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 48A (Tc)

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