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TSM061NA03CV RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Teil #:

TSM061NA03CV RGG

Hersteller:

Taiwan Semiconductor Corporation

Paket:

8-PDFN (3.1x3.1)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Menge:

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Datencode

Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerWDFN
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	TSM061
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max)	44.6W (Tc)
Supplier Device Package	8-PDFN (3.1x3.1)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1136 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	66A (Tc)

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