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TRS8V65H,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TRS8V65H,LQ

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

4-DFN-EP (8x8)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

G3 SIC-SBD 650V 8A DFN8X8

Menge:

Auf Lager : 5000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.6315

$2.6315
10

$2.18595

$21.8595
100

$1.74002

$174.002
500

$1.47234

$736.17
1000

$1.24926

$1249.26

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	4-VSFN Exposed Pad
Product Status	Active
Capacitance @ Vr, F	520pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	4-DFN-EP (8x8)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	90 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	8A
Operating Temperature - Junction	175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 8 A

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