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TRS8E65F,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TRS8E65F,S1Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220-2L

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L

Menge:

Auf Lager : 4 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.4675

$3.4675
10

$2.9108

$29.108
100

$2.35514

$235.514
500

$2.09345

$1046.725
1000

$1.79252

$1792.52
2000

$1.68785

$3375.7
5000

$1.61932

$8096.6

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Base Product Number	TRS8E65
Capacitance @ Vr, F	28pF @ 650V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-220-2L
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	40 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	8A
Operating Temperature - Junction	175°C (Max)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 8 A

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