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TRS6A65F,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TRS6A65F,S1Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220F-2L

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F

Menge:

Auf Lager : 6 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.565

$2.565
10

$2.1565

$21.565
100

$1.74439

$174.439
500

$1.55055

$775.275
1000

$1.32766

$1327.66
2000

$1.25013

$2500.26
5000

$1.19937

$5996.85

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2 Full Pack
Product Status	Active
Base Product Number	TRS6A65
Capacitance @ Vr, F	22pF @ 650V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-220F-2L
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	30 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	6A
Operating Temperature - Junction	175°C (Max)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 6 A

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