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TRS3E65H,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TRS3E65H,S1Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220-2L

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L

Menge:

Auf Lager : 400 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.5295

$1.5295
10

$1.27395

$12.7395
100

$1.01412

$101.412
500

$0.85807

$429.035
1000

$0.72807

$728.07
2000

$0.69166

$1383.32
5000

$0.66566

$3328.3
10000

$0.64362

$6436.2

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Capacitance @ Vr, F	199pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-220-2L
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	45 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	3A
Operating Temperature - Junction	175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 3 A

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