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TRS3E65F,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TRS3E65F,S1Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220-2L

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2L

Menge:

Auf Lager : 12 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.8145

$1.8145
10

$1.5048

$15.048
100

$1.19747

$119.747
500

$1.01323

$506.615
1000

$0.85971

$859.71
2000

$0.81672

$1633.44
5000

$0.78602

$3930.1
10000

$0.76

$7600

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Base Product Number	TRS3E65
Capacitance @ Vr, F	12pF @ 650V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-220-2L
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	20 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	3A
Operating Temperature - Junction	175°C (Max)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 3 A

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