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TRS12V65H,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TRS12V65H,LQ

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

4-DFN-EP (8x8)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8

Menge:

Auf Lager : 5000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.116

$3.116
10

$2.61535

$26.1535
100

$2.11565

$211.565
500

$1.88062

$940.31
1000

$1.61027

$1610.27

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	4-VSFN Exposed Pad
Product Status	Active
Capacitance @ Vr, F	778pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	4-DFN-EP (8x8)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	120 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	12A
Operating Temperature - Junction	175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 12 A

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