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TRS12N65FB,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TRS12N65FB,S1Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-247

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A

Menge:

Auf Lager : 55 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.617

$4.617
10

$3.87885

$38.7885
100

$3.13813

$313.813
500

$2.78946

$1394.73
1000

$2.38847

$2388.47
2000

$2.249

$4498

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Product Status	Active
Base Product Number	TRS12N65
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package	TO-247
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	30 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Operating Temperature - Junction	175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 6 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	6A (DC)

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