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TRS12E65F,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TRS12E65F,S1Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220-2L

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L

Menge:

Auf Lager : 3 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.2325

$2.2325
10

$1.8544

$18.544
100

$1.4762

$147.62
500

$1.24911

$624.555
1000

$1.05986

$1059.86
2000

$1.00687

$2013.74
5000

$0.96901

$4845.05
10000

$0.93693

$9369.3

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Base Product Number	TRS12E65
Capacitance @ Vr, F	65pF @ 650V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-220-2L
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	90 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	12A
Operating Temperature - Junction	175°C (Max)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 12 A

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