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TRS10E65H,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TRS10E65H,S1Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220-2L

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

G3 SIC-SBD 650V 10A TO-220-2L

Menge:

Auf Lager : 320 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.7455

$2.7455
10

$2.30185

$23.0185
100

$1.86181

$186.181
500

$1.65493

$827.465
1000

$1.41704

$1417.04
2000

$1.3343

$2668.6
5000

$1.28012

$6400.6

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Capacitance @ Vr, F	649pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-220-2L
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	100 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	10A
Operating Temperature - Junction	175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 10 A

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