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TPW3R70APL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TPW3R70APL,L1Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

8-DSOP Advance

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

Menge:

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSIX-H
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerWDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Operating Temperature	175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Supplier Device Package	8-DSOP Advance
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6300 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)

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