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TPN7R506NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TPN7R506NH,L1Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

8-TSON Advance (3.1x3.1)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

Menge:

Auf Lager : 9040 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.931

$0.931
10

$0.83505

$8.3505
100

$0.65103

$65.103
500

$0.53779

$268.895
1000

$0.42457

$424.57
2000

$0.39627

$792.54

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSVIII-H
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Base Product Number	TPN7R506
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta), 42W (Tc)
Supplier Device Package	8-TSON Advance (3.1x3.1)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	26A (Tc)

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