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TPN3300ANH,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TPN3300ANH,LQ

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Menge:

Auf Lager : 6884 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.817

$0.817
10

$0.7334

$7.334
100

$0.57161

$57.161
500

$0.47216

$236.08
1000

$0.37276

$372.76

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSVIII-H
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Base Product Number	TPN3300
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta), 27W (Tc)
Supplier Device Package	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	880 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.4A (Tc)

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