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TPN13008NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TPN13008NH,L1Q

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

8-TSON Advance (3.1x3.1)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON

Menge:

Auf Lager : 546 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.969

$0.969
10

$0.86355

$8.6355
100

$0.67307

$67.307
500

$0.55603

$278.015
1000

$0.43897

$438.97
2000

$0.4097

$819.4

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSVIII-H
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Base Product Number	TPN13008
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta), 42W (Tc)
Supplier Device Package	8-TSON Advance (3.1x3.1)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)

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