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TPH2R306NH1,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TPH2R306NH1,LQ

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

8-SOP Advance (5x5.75)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ

Menge:

Auf Lager : 11962 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.4345

$1.4345
10

$1.1894

$11.894
100

$0.94677

$94.677
500

$0.80107

$400.535
1000

$0.6797

$679.7
2000

$0.64572

$1291.44

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSVIII-H
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Operating Temperature	150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	800mW (Ta), 170W (Tc)
Supplier Device Package	8-SOP Advance (5x5.75)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6100 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	136A (Tc)

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