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TPC8213-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TPC8213-H(TE12LQ,M

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

8-SOP (5.5x6.0)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

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Land

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	450mW
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Base Product Number	TPC8213
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package	8-SOP (5.5x6.0)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	625pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A

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